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鳩山サイエンスフォーラム

鳩山キャンパスで、最先端のサイエンスの話を聞き、討論する場です。学内外から研究の最先端で活躍されている研究者を招いて、月一回程度開催します。学生、院生、教職員の方々の参加をお持ちしております。学外からのご来聴も大いに歓迎いたします。

連絡先:東京電機大学理工学部物理学教室
TEL:049-296-5457
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これまでの講演者と講演要旨

第69回講演会
玉谷 知裕(産業技術総合研究所)

半導体を用いた高次高調波の発生メカニズム 〜高強度光物理の基礎〜

概  要:光の周波数を変換する技術は重要な技術であり、すでに我々の社会において 様々なところで使われている。高次高調波発生はその中でも注目されている技術の 一つであり、特に原子分子気体を用いた高次高調波発生は紫外からX線領域における アト秒パルス生成の有用性から、現在まで盛んに研究が成されて来た。 近年、 高強度THz光の発生が可能となり、半導体を初めとする凝縮系を用いた 高次高調波発生が注目されている[1]。これはTHz光における光子エネルギーが 半導体の典型的なバンドギャップエネルギーと比較して非常に小さく、さらに安定した 電場波形を形成できることから高次高調波発生に対する高効率な制御が 実現できると期待されるためである。しかしながら、このような実験的進歩にも関わらず 高強度THz光照射下での凝縮系における高次高調波発生のメカニズムは明らかに なっていない。以上の状況を踏まえ,本講演では, 半導体に高強度THz光を 照射した際のキャリアダイナミクスの定性的な理解の仕方を示し、それによって生じる 高次高調波発生のメカニズムを明らかにする[2, 3]. さらにそれらを踏まえ、 グラフェン[4]や遷移金属ダイカルコゲナイド[5]における高次高調波の特異な 性質を説明する。
Reference
[1] O. Schubert et al., Nature Photon. 8, 119-123 (2014).
[2] T. Tamaya, A. Ishikawa, T. Ogawa, and K. Tanaka, Phys. Rev. Lett. 116, 016601 (2016).
[3] T. Tamaya, A. Ishikawa, T. Ogawa, and K. Tanaka, Phys. Rev. B 94, 241107(R) (2016).
[4] N. Yoshikawa, T. Tamaya, and K. Tanaka, Science 356, 736 (2017).
[5] T. Tamaya, S. Konabe, and S. Kawabata, arXiv:1706.00548.

日 時:2017年7月13日(木)15:10〜16:40
場 所: 東京電機大学理工学部 理学系会議室(1407室)
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